百萬(wàn)內(nèi)存條新品DDR4出貨 開(kāi)發(fā)微電子邁向新臺(tái)階
發(fā)布時(shí)間：2016-06-28
截止至6月27日，長(zhǎng)城開(kāi)發(fā)子公司——深圳開(kāi)發(fā)微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：開(kāi)發(fā)微電子）內(nèi)存條新品DDR4出貨量已突破150萬(wàn)條。這預(yù)示著開(kāi)發(fā)微電子業(yè)務(wù)再次升級(jí)，邁向新臺(tái)階。
開(kāi)發(fā)微電子DDR4項(xiàng)目自2016年3月中開(kāi)始試產(chǎn)，4月中導(dǎo)入，歷經(jīng)2個(gè)多月緊鑼密鼓的準(zhǔn)備階段，目前已正式步入正軌，以日產(chǎn)2萬(wàn)只進(jìn)行量產(chǎn)，后續(xù)隨著市場(chǎng)需求的日益增大，產(chǎn)量還將不斷上升，并成為內(nèi)存條主流產(chǎn)品。較之于DDR3，DDR4有三個(gè)明顯優(yōu)點(diǎn)：16bit預(yù)取機(jī)制（DDR3為8bit），同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。即DDR4相比DDR3提升了頻率和帶寬等一系列硬件參數(shù)，在提升性能的同時(shí)降低了能耗，為移動(dòng)設(shè)備提供了更好的支持。
目前，開(kāi)發(fā)微電子擁有超過(guò)10條SMT生產(chǎn)線(xiàn)及配套的測(cè)試、VI生產(chǎn)線(xiàn)和4條USB存儲(chǔ)盤(pán)組裝生產(chǎn)線(xiàn)，以及自動(dòng)裝配線(xiàn)、自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備等，月產(chǎn)內(nèi)存條達(dá)350萬(wàn)條，U盤(pán)達(dá)400萬(wàn)個(gè)，閃存卡達(dá)200萬(wàn)個(gè)。此次150萬(wàn)條DDR4新品的順利出貨，開(kāi)拓了開(kāi)發(fā)微電子新的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)點(diǎn)，助力公司邁上新臺(tái)階，為實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期可持續(xù)發(fā)展具有深遠(yuǎn)意義。
